Brak produktów
Podane ceny są cenami brutto
57253
Nowość
Specyfikacja:
Producent STMicroelectronics
Typ tranzystora N-MOSFET
Technologia SuperMes
Polaryzacja unipolarny
Napięcie dren-źródło 600V
Prąd drenu 5,7A
Moc ...
108 Przedmiot Przedmioty
w magazynie
Ostatnie egzemplarze!
Data dostępności:
Specyfikacja:
Producent STMicroelectronics
Typ tranzystora N-MOSFET
Technologia SuperMes
Polaryzacja unipolarny
Napięcie dren-źródło 600V
Prąd drenu 5,7A
Moc rozpraszana 35W
Obudowa TO220FP
Napięcie bramka-źródło ±30V
Rezystancja w stanie przewodzenia 750mΩ
Montaż THT
Rodzaj kanału wzbogacany
Właściwości elementów półprzewodnikowych ESD protected gate
ŁH
Na razie nie dodano żadnej recenzji.