Produkt dodany poprawnie do Twojego koszyka

Ilość

Razem

Ilość produktów w Twoim koszyku: 0. Jest 1 produkt w Twoim koszyku.

Razem produkty: (brutto)

Dostawa: (brutto) Darmowa wysyłka!

Podatek 0,00 zł

Razem (brutto)

Kontynuuj zakupy Przejdź do realizacji zamówienia

Promocja ! IXFN60N80P Tranzystor N-Mosfet 800V 60A SOT-227B

Zobacz większe

IXFN60N80P Tranzystor N-Mosfet 800V 60A SOT-227B

Indeks: 36326

Stan: Nowość

Specyfikacja:
- Producent: IXYS
- Typ modułu: tranzystorowy MOSFET
- Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor
- Napięcie dren-źródło: 800V
- Prąd drenu: 53A
- ...

Więcej szczegółów

Ten produkt aktualnie nie występuje na magazynie.

Drukuj

269,00 zł

Dodaj do listy życzeń

Rabaty ilościowe (podane ceny netto)

Ilość	Cena	Oszczędzasz
8	208,60 zł netto/szt.	Do 60,40 zł

Więcej informacji

Specyfikacja:
- Producent: IXYS
- Typ modułu: tranzystorowy MOSFET
- Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor
- Napięcie dren-źródło: 800V
- Prąd drenu: 53A
- Obudowa: SOT227B
- Montaż elektryczny: przykręcany
- Polaryzacja: unipolarny
- Rezystancja w stanie przewodzenia: 140mΩ
- Prąd drenu w impulsie: 150A
- Moc rozpraszana: 1040W
- Technologia: HiPerFET™, Polar™
- Rodzaj kanału: wzbogacany
- Ładunek bramki: 250nC
- Czas gotowości: 250ns
- Napięcie bramka-źródło: ±30V
- Montaż mechaniczny: przykręcany

SK