Specyfikacja: Producent ON SEMICONDUCTOR Typ tranzystora N-JFET Polaryzacja unipolarny Prąd drenu 20mA Moc rozpraszana 350mW Obudowa TO92 Napięcie bramka-źródło -35V Rezystancja w stanie przewodzenia 30Ω Montaż THT Rodzaj opakowania luzem Prąd bramki 50mA