Brak produktów
Podane ceny są cenami brutto
26962
Nowość
STP10NK80Z
Dane techniczne:
Typ tranzystora N-MOSFET
Technologia SuperMesh™
Polaryzacja unipolarny
Napięcie dren-źródło 800V
Prąd drenu 6A
Moc rozpr ...
7 Przedmiot Przedmioty
w magazynie
Ostatnie egzemplarze!
Data dostępności:
STP10NK80Z
Dane techniczne:
Typ tranzystora N-MOSFET
Technologia SuperMesh™
Polaryzacja unipolarny
Napięcie dren-źródło 800V
Prąd drenu 6A
Moc rozpraszana 160W
Obudowa TO220-3
Napięcie bramka-źródło ±30V
Rezystancja w stanie przewodzenia 900mΩ
Montaż THT
Rodzaj kanału wzbogacany
Właściwości elementów półprzewodnikowych ESD protected gate
AW
Na razie nie dodano żadnej recenzji.