Brak produktów
Podane ceny są cenami brutto
ZESTAW 10 SZTUK WKRĘTÓW / KOŁKÓW WULKANIZACYJNYCH DO SZYBKIEJ NAPRAWY...
Kamizelka z kreskówką i odblaskami dla dzieci, jaskrawy, żółty kolor...
Napięcie wejściowe [V] 230Zakres napięcia wyj. [V] 24Prąd wyjściowy [A]...
Ugreen kabel przewód USB - mini USB 480 Mbps 1,5 m (US132)Wysokiej...
Ugreen kabel przewód USB - mini USB 480 Mbps 2 m (US132)Wysokiej jakości...
Transmiter FM / szybka ładowarka samochodowa Joyroom o mocy 48 W, z...
Producent DIODES INCORPORATEDTyp diody przełączającaMontaż SMDNapięcie...
Producent AIMTECTyp przetwornicy DC/DCMoc 1,5WNapięcie wejściowe...
Złącze gniazdoTyp złącza USB AMontaż elektryczny THTOrientacja...
Tranzystory, Elementy Elektroniczne
Podkategorie
Symbol: 92508
Specyfikacja:- Typ tranzystora: N-MOSFET - Polaryzacja: unipolarny - Rodzaj tranzystora: HEXFET - Napięcie dren-źródło: 75V - Prąd drenu: 82A -... Specyfikacja:- Typ tranzystora: N-MOSFET - Polaryzacja: unipolarny - Rodzaj tranzystora: HEXFET - Napięcie dren-źródło: 75V - Prąd drenu: 82A -...
Symbol: 92636
Specyfikacja:- Napięcie: 500V- Prąd: 5.3A- Moc: 50W- Kanał NSK ... Specyfikacja:- Napięcie: 500V- Prąd: 5.3A- Moc: 50W- Kanał NSK ...
Symbol: 92888
Tranzystor STD20NF20 N-MOSFET 18A 200V 90WDN ... Tranzystor STD20NF20 N-MOSFET 18A 200V 90WDN ...
Symbol: 94018
Tranzystor G13N60UFD mk ... Tranzystor G13N60UFD mk ...
Symbol: 94553
2SA2121/2SC5949 para tranzystorów w obudowie TO247.SK ... 2SA2121/2SC5949 para tranzystorów w obudowie TO247.SK ...
Symbol: 94578
Specyfikacja:- Typ tranzystora: IGBT - Napięcie kolektor-emiter: 600V - Prąd kolektora: 96A - Moc: 330W - Obudowa: TO247AC - Montaż: THTSK ... Specyfikacja:- Typ tranzystora: IGBT - Napięcie kolektor-emiter: 600V - Prąd kolektora: 96A - Moc: 330W - Obudowa: TO247AC - Montaż: THTSK ...
Symbol: 94660
Specyfikacja:- Typ tranzystora: N-MOSFET - Polaryzacja: unipolarny - Napięcie dren-źródło: 650V - Prąd drenu: 11A - Moc: 36W - Obudowa: TO220F... Specyfikacja:- Typ tranzystora: N-MOSFET - Polaryzacja: unipolarny - Napięcie dren-źródło: 650V - Prąd drenu: 11A - Moc: 36W - Obudowa: TO220F...
Symbol: 94981
Specyfikacja:- Typ tranzystora: N-MOSFET - Polaryzacja: unipolarny - Napięcie dren-źródło: 60V - Prąd drenu: 18A - Moc: 42W - Obudowa: DPAK -... Specyfikacja:- Typ tranzystora: N-MOSFET - Polaryzacja: unipolarny - Napięcie dren-źródło: 60V - Prąd drenu: 18A - Moc: 42W - Obudowa: DPAK -...
Symbol: 95260
2SA1962/2SC5242 para Tranzystordn ... 2SA1962/2SC5242 para Tranzystordn ...
Symbol: 95423
Tranzystor BSS138 Specyfikacja:Producent: DIODES INCORPORATED Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny R ... Tranzystor BSS138 Specyfikacja:Producent: DIODES INCORPORATED Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny R ...
Symbol: 95424
Specyfikacja:- Typ tranzystora: P-MOSFET - Polaryzacja: unipolarny - Napięcie dren-źródło: -30V - Prąd drenu: -7.7A - Moc: 5.6W - Obudowa: SO8... Specyfikacja:- Typ tranzystora: P-MOSFET - Polaryzacja: unipolarny - Napięcie dren-źródło: -30V - Prąd drenu: -7.7A - Moc: 5.6W - Obudowa: SO8...
Symbol: 95527
Specyfikacja:- Typ tranzystora: NPN - Polaryzacja: bipolarny - Rodzaj tranzystora: BRT - Napięcie kolektor-emiter: 50V - Prąd kolektora: 100mA... Specyfikacja:- Typ tranzystora: NPN - Polaryzacja: bipolarny - Rodzaj tranzystora: BRT - Napięcie kolektor-emiter: 50V - Prąd kolektora: 100mA...
Symbol: 95530
Specyfikacja:- Typ tranzystora: N-MOSFET - Polaryzacja: unipolarny - Napięcie dren-źródło: 75V - Prąd drenu: 82A - Moc: 200W - Obudowa:... Specyfikacja:- Typ tranzystora: N-MOSFET - Polaryzacja: unipolarny - Napięcie dren-źródło: 75V - Prąd drenu: 82A - Moc: 200W - Obudowa:...
Symbol: 95840
Tranzystor rjk5010Specyfikacja:Obudowa: TO-3PNapięcie: 500 VPrąd: 40 AMoc: 178,5 WRohs: tak Tranzystor rjk5010Specyfikacja:Obudowa: TO-3PNapięcie: 500 VPrąd: 40 AMoc: 178,5 WRohs: tak
Symbol: 96091
Specyfikacja:- Typ tranzystora: N-MOSFET - Polaryzacja: unipolarny - Napięcie dren-źródło: 100V - Prąd drenu: 180A - Moc: 375W - Obudowa:... Specyfikacja:- Typ tranzystora: N-MOSFET - Polaryzacja: unipolarny - Napięcie dren-źródło: 100V - Prąd drenu: 180A - Moc: 375W - Obudowa:...
Symbol: 96447
Specyfikacja:- Typ tranzystora: IGBT - Napięcie kolektor-emiter: 600V - Prąd kolektora: 40A - Moc: 250W - Obudowa: TO247-3 - Napięcie bramka -... Specyfikacja:- Typ tranzystora: IGBT - Napięcie kolektor-emiter: 600V - Prąd kolektora: 40A - Moc: 250W - Obudowa: TO247-3 - Napięcie bramka -...
Symbol: 96653
Tranzystor STP5NK50ZTyp tranzystora N-MOSFET Polaryzacja unipolarny Napięcie dren-źródło 500V Prąd drenu 2.7A Moc 70W Obudowa TO220-3 Napięcie... Tranzystor STP5NK50ZTyp tranzystora N-MOSFET Polaryzacja unipolarny Napięcie dren-źródło 500V Prąd drenu 2.7A Moc 70W Obudowa TO220-3 Napięcie...
Symbol: 96765
Tranzystor BCR555E6327 PNPSpecyfikacja:Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Typ tranzystora: PNP Polaryzacja: bipolarny < ... Tranzystor BCR555E6327 PNPSpecyfikacja:Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Typ tranzystora: PNP Polaryzacja: bipolarny < ...
Symbol: 96950
Tranzystor 2Sk3850 SMD TO-251Cena dotyczy 1 szt.ZH ... Tranzystor 2Sk3850 SMD TO-251Cena dotyczy 1 szt.ZH ...
Symbol: 97165
GT30F131 IGBT Tranzystor Moduł 360V 200A 140Wdn ... GT30F131 IGBT Tranzystor Moduł 360V 200A 140Wdn ...
Symbol: 97177
STP9NK50ZSpecyfikacja:Producent: ST MICROELECTRONICS Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Napięcie dren- ... STP9NK50ZSpecyfikacja:Producent: ST MICROELECTRONICS Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Napięcie dren- ...
Symbol: 97597
Tranzystor SSC3S111 w obudowie SMD.SK ... Tranzystor SSC3S111 w obudowie SMD.SK ...
Symbol: 97634
Specyfikacja:- Typ tranzystora: NPN - Polaryzacja: bipolarny - Napięcie kolektor-emiter: 450V - Prąd kolektora: 5A - Straty mocy: 80W -... Specyfikacja:- Typ tranzystora: NPN - Polaryzacja: bipolarny - Napięcie kolektor-emiter: 450V - Prąd kolektora: 5A - Straty mocy: 80W -...
Symbol: 98028
Specyfikacja:- Typ tranzystora: IGBT - Napięcie kolektor-emiter: 600V - Prąd kolektora: 30A - Moc: 200W - Obudowa: TO247-3 - Napięcie bramka -... Specyfikacja:- Typ tranzystora: IGBT - Napięcie kolektor-emiter: 600V - Prąd kolektora: 30A - Moc: 200W - Obudowa: TO247-3 - Napięcie bramka -...
Symbol: 98092
Specyfikacja:- Typ tranzystora: NPN - Polaryzacja: bipolarny - Napięcie kolektor-emiter: 60V - Prąd kolektora: 1A - Moc rozpraszana: 1W -... Specyfikacja:- Typ tranzystora: NPN - Polaryzacja: bipolarny - Napięcie kolektor-emiter: 60V - Prąd kolektora: 1A - Moc rozpraszana: 1W -...
Symbol: 98093
Specyfikacja:- Typ tranzystora: PNP - Polaryzacja: bipolarny - Napięcie kolektor-emiter: 80V - Prąd kolektora: 1.5A - Moc rozpraszana: 1.5W -... Specyfikacja:- Typ tranzystora: PNP - Polaryzacja: bipolarny - Napięcie kolektor-emiter: 80V - Prąd kolektora: 1.5A - Moc rozpraszana: 1.5W -...
Symbol: 98156
Specyfikacja:- Typ tranzystora: P-MOSFET - Polaryzacja: unipolarny - Napięcie dren-źródło: -20V - Prąd drenu: -1.8A - Moc: 1.6W - Obudowa:... Specyfikacja:- Typ tranzystora: P-MOSFET - Polaryzacja: unipolarny - Napięcie dren-źródło: -20V - Prąd drenu: -1.8A - Moc: 1.6W - Obudowa:...
Symbol: 98183
TK13A60D Tranzystor N-MOSFET izolowaneSpecyfikacja:Producent: TOSHIBA Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny ... TK13A60D Tranzystor N-MOSFET izolowaneSpecyfikacja:Producent: TOSHIBA Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny ...
Symbol: 98255
Tranzystor SMD BSP318SH6327XTSASpecyfikacja:Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Typ tranzystora: N-MOSFET Technologia: SIPMOS™ Pol ... Tranzystor SMD BSP318SH6327XTSASpecyfikacja:Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Typ tranzystora: N-MOSFET Technologia: SIPMOS™ Pol ...
Symbol: 98305
Tranzystor N-Mosfet unipolarny IRFR4104PBF SMD Specyfikacja:Producent: Infineon (IRF) Typ tranzystora: N-MOSFET Technolo ... Tranzystor N-Mosfet unipolarny IRFR4104PBF SMD Specyfikacja:Producent: Infineon (IRF) Typ tranzystora: N-MOSFET Technolo ...
Symbol: 98324
Specyfikacja:- Producent: IXYS - Typ modułu: tranzystorowy - Polaryzacja: unipolarny - Napięcie dren-źródło: 800V - Prąd drenu: 50A - Moc:... Specyfikacja:- Producent: IXYS - Typ modułu: tranzystorowy - Polaryzacja: unipolarny - Napięcie dren-źródło: 800V - Prąd drenu: 50A - Moc:...
Symbol: 99196
Specyfikacja:- Typ: K50T60- Obudowa: TO-247- Napięcie: 600 V- Moc: 333 W- Prąd: 80 A- Temperatura maks: 175 °C- Częstotliwość: 34 MHz- Polaryzacja:... Specyfikacja:- Typ: K50T60- Obudowa: TO-247- Napięcie: 600 V- Moc: 333 W- Prąd: 80 A- Temperatura maks: 175 °C- Częstotliwość: 34 MHz- Polaryzacja:...
Symbol: 99198
Producent ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) Typ tranzystora N-MOSFET Technologia QFET® Polaryzacja unipolarny Napięcie dren-źródło 800V Prąd drenu 3.8A... Producent ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) Typ tranzystora N-MOSFET Technologia QFET® Polaryzacja unipolarny Napięcie dren-źródło 800V Prąd drenu 3.8A...
Symbol: 99269
Specyfikacja:- Typ: 2SA1757- Obudowa: TO-220- Napięcie: 60 V- Moc: 25 W- Prąd: 5 A- Częstotliwość: 80 MHz- Polaryzacja: pnp SK ... Specyfikacja:- Typ: 2SA1757- Obudowa: TO-220- Napięcie: 60 V- Moc: 25 W- Prąd: 5 A- Częstotliwość: 80 MHz- Polaryzacja: pnp SK ...
Symbol: 99273
Specyfikacja:- Typ tranzystora: IGBT Kanał N- Symbol: SGW50N60HS- Prąd kolektora: 100A- Napięcie kolektor-emiter: 600V- Moc: 400W- Obudowa: TO247-... Specyfikacja:- Typ tranzystora: IGBT Kanał N- Symbol: SGW50N60HS- Prąd kolektora: 100A- Napięcie kolektor-emiter: 600V- Moc: 400W- Obudowa: TO247-...
Symbol: 99284
Specyfikacja:- Typ tranzystora: N-MOSFET - Technologia: HEXFET® - Polaryzacja: unipolarny - Napięcie dren-źródło: 20V - Prąd drenu: 3.4A -... Specyfikacja:- Typ tranzystora: N-MOSFET - Technologia: HEXFET® - Polaryzacja: unipolarny - Napięcie dren-źródło: 20V - Prąd drenu: 3.4A -...
Symbol: 99795
Tranzystor 20NM50 TO-220.SK ... Tranzystor 20NM50 TO-220.SK ...